氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）器件采用pGaN架构，具备常关型特征，与相应的硅（Si）器件相比，具有低一个数量级的栅极电荷和输出电荷，结合几乎为零的反向恢复电荷，可以支持更简单的拓扑结构，实现更高的系统效率。